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近来有网络媒体称，中微半导体自主研发的5纳米等离子体刻蚀机，功能优秀，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线，并评论说我国芯片生产技能总算打破欧美封闭，第一次占据国际制高点我国弯道超车等等。

中微公司的刻蚀机确实水平一流，但夸张论述其战略意义，则被相关专家对立。刻蚀仅仅芯片制作多个环节之一。刻蚀机也不是对华禁售的设备，在这个意义上不算卡脖子。

首要，外行简单混杂光刻机和刻蚀机。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精密的电路图（就像照相机让胶卷感光），后者按这张图去刻线（就像刻印章相同，腐蚀和去除不需求的部分）。

光刻机是芯片制作中用到的最金贵的机器，要到达5纳米曝光精度难比登天，ASML公司一家通吃高端光刻机；而刻蚀机没那么难，中微的竞争对手还有使用资料、泛林、东京电子等等，国外巨子体量优势显着。

中微的等离子刻蚀机这几年前进确实不小，科技日报记者采访的一位从事离子刻蚀的专家说，但现在的刻蚀机精度已远超光刻机的曝光精度；芯片制程上，刻蚀精度已不再是最大的难题，更难的是确保在大面积晶圆上的刻蚀一致性。

该专家解说说，难在怎么让电场能量和刻蚀气体都均匀地散布在被刻蚀基体外表上，以确保等离子中的有用基元，在晶片外表的每一个方位完成相同的刻蚀作用，为此需求归纳资料学、流体力学、电磁学和真空等离子体学的常识。

该专家说：刻蚀机更合理的结构规划和资料挑选，可确保电场的均匀散布。刻蚀气体的馈入方法也是要害之一。据我所知，中微尹志尧博士的团队在气体喷淋盘上下过不少的功夫。别的包含功率电源、真空体系、刻蚀温度操控等，都影响刻蚀成果。

别的，该专家也指出，刻蚀机技能类型许多，中微和他们的技能原理就有很大差异，至于更具体的技能细节，是每个厂家的中心秘要。

趁便一提：刻蚀分湿法（古代人就懂得用强酸去刻蚀金属，现代工艺用氟化氢刻蚀二氧化硅）和干法（如用真空中的氩等离子体去加工硅片）。湿法呈现较早，一般用在低端产品上。干法一般是能量束刻蚀，离子束、电子束、激光束等等，精度高，无污染残留，芯片制作用的就是等离子刻蚀。该专家称。

上述专家称誉说，尹博士以及中微的中心技能团队，根本都是从国际闻名半导体设备大厂出来的，尹博士本来就在国外获得了许多的技能成果。中微不断提高改善，逐渐在芯片刻蚀机范畴坚持了与国外简直同步的技能水平。

在IC业界作业多年的电子工程师张光华通知科技日报记者：一两年前网上就有中微研发5纳米刻蚀机的报道。如果能在台积电使用，确实阐明中微到达国际领先水平。但说我国芯片弯道超车就是夸张其词了。

硅片从规划到制作到封测，流程杂乱。刻蚀是制作环节的工序之一，还有造晶棒、切开晶圆、涂膜、光刻、掺杂、测验等等，都需求杂乱的技能。我国在大部分工序上落后。张光华说，并且，中微仅仅给台积电这样的制作企业供给设备，产量比台积电差几个数量级。

科技日报记者发现，2023年开端网络上常常热炒5纳米刻蚀机，而中微公司再三反对媒体给他们戴高帽。

不要老把工业的开展提高到政治高度，更不要让一些新闻人和媒体搞招引眼球的不实报道。尹志尧2023年表明，对我和中微的夸张宣扬搞得咱们很被迫过一些时分，又面目一新登出来，真实让咱们头痛。

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